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厂商型号

HUF75531SK8 

产品描述

MOSFET SO-8

内部编号

3-HUF75531SK8

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

HUF75531SK8产品详细规格

Status Obsolete
RoHS No
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 80 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 6 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.03 Ohms
配置 Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
封装 Tube
下降时间 29 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 2.5 W
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 49 ns
寿命 Obsolete

HUF75531SK8系列产品

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