Status | Obsolete |
RoHS | No |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 80 V |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 6 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 0.03 Ohms |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
封装 | Tube |
下降时间 | 29 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 25 ns |
典型关闭延迟时间 | 49 ns |
寿命 | Obsolete |
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